Principal Engineer SiC Epitaxy

Infineon Technologies Austria AG
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KI-Zusammenfassung

In dieser Position sind Sie verantwortlich für die Entwicklung und Optimierung von SiC-Epitaxie-Prozessen, um hochwertige Geräte zu ermöglichen. Sie arbeiten eng mit dem Technologieentwicklungsteam und der Produktion zusammen und übergeben qualifizierte Prozesse an das Produktionsteam. Ein Masterabschluss oder PhD in Physik, angewandter Chemie oder Materialwissenschaften ist erforderlich.

Villach (Austria)

Join us on our journey to the world's Silicon Carbide future.

In your new job you will:

  • Be responsible for the development and further optimization of SiC epitaxy single process solutions in terms of reliability and yield to enable world class devices
  • Hand over qualified processes and control concepts to the production team
  • Work in close collaboration with the technology development team and production in Villach and Kulim

You are best equipped for this task if you have:

  • A master degree / PhD in Physics, Applied Chemistry or MaterialScience
  • At least 5 years of relevant working experience in the field of Silicon Carbide epitaxy
  • Experience in optimizing tools and processes for high performance and high reliability SiC devices
  • Fluent English skills with German as a plus

This position is subject to the collective agreement for workers and employees in the electrical and electronics industry, employment group I. The monthly salary is paid 14 times p.a. A higher payment is negotiable depending on your expertise and skills. Furthermore, Infineon offers additional employee benefits.

Contact: Elisabeth Franz, LinkedIn

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